能否赶超顶级SOC 首发天玑1200的realme GT Neo测评上线

来源：驱动之家　2021-04-12 11:46:04

随着realme GT Neo的公布，天玑1200也在全球首度亮相。我们终于能够一窥这颗旗舰SOC。

当然，除了首发天玑1200外，realme GT Neo也有诸多亮点，譬如支持50W快充、后置6400W三摄，拥有120Hz AMOLED直屏，支持NFC，拥有179g轻薄机身和3.5mm音频接口等。

最关键的是，在这些配置之上，realme GT Neo的12+256版本只需2299元即可入手，正如其宣传的旗舰破门员一样，它绝对具有成为新一代最具价格比旗舰的潜质。

接下来，就让我们来好好体验下realme GT Neo，来看看天玑1200究竟提升如何，旗舰破门员是否名副其实。

realme GT Neo采用了左上角挖孔直屏的设计，屏幕材质为三星Super AMOLED，拥有最高120Hz的刷新率和360Hz的触控采样率。

左上角挖孔，内含一颗2200万像素的广角人像镜头，用于自拍有着不错的效果。顶部麦克风和扬声器二合一，可以用最少的空间，实现双扬声器的影音效果。

后置三摄，主摄为索尼IMX 682，拥有6400万像素，成像解析力十足。副摄则分别为一颗1200万广角和200万像素微距，提供额外场景下的拍照玩法。

接口方面，两侧是电源键+音量键的老样子。顶部和底部，除了扬声器开孔、Type-C接口、麦克风开孔外，值得注意的是realme GT Neo保留了3.5mm音频接口，无需转换器接口即可使用。

realme GT Neo最高支持50W闪充，不过赠送的是65W超级闪充的充电器，这一点值得好评，可以兼容不少同系列手机等设备。

和天玑1000及天玑1000+相比，联发科在2021年推出的天玑1200主要有两点改变。一是采用了最新的台积电6nm工艺，保证产能的同时确保能耗比有所提升;二是重返三丛集架构。

——首发台积电6nm工艺

虽然今年许多主流芯片都来到了5nm工艺，但是台积电5nm供货紧缺，以及三星5nm表现不佳，这两个问题都使的5nm工艺变成了并不现实的选择。

所以在今年，联发科稍有折中，在天玑1200采用了最新的台积电6nm EUV工艺，保证了产能足够的同时，在能效比上也有一定提升。

根据台积电的数据显示，在相同的条件下，6nm EUV工艺在功耗上可以比7nm降低8%，而晶体管密度相较于7nm工艺提升了18%。

虽然相较于台积电已经量产的5nm EUV在功耗上略逊一筹，但是差距不大，在成本上更具优势，并且不用担心产量问题。

——重回三丛集架构

早在去年，无论是骁龙865、还是麒麟990就开始采用全新的三丛集架构，即一超大核+大核+小核的模式，来应对不同负载程度的任务。

而其实早在2016年，联发科就推出了Helio X20十核心SOC移动处理器，并且就首次尝试了三丛集架构。不过当时来看，由于这样的设计过于超前，结果导致超大核往往派不上用场，而整个核心的发热也居高不下。

不过如今，有着更先进的制程和更优秀的AI调度，三丛集架构又重新登上了舞台。天玑1200采用的是1颗高频率A78大核+3颗中频率A78中核+4颗A55小核的三丛集设计，总体配置类似上一代的骁龙865，但是引入了新的A88架构，所以我们可以期待它比肩甚至超越去年的骁龙865。

功耗部分可以先给出结论，天玑1200相较于上一代天玑1000系列，在CPU部分不仅显著提升，同时功耗更优，不过GPU部分的能耗比并没有太大的改变。

1、GeekBench 功率对比

天玑1200的CPU跑分比起骁龙865有着10%左右的领先，同时功耗更加优秀。在Geekbench 5跑分测试(图中软件名识别错误)中，功耗仅有3.6W，而骁龙865为3.87W。和天玑1000+的4.78W相比，能效比进步明显。

2、GFXbench功率对比

在同样的测试场景下，默频的骁龙865，功耗表现是最好的，其次是天玑1000+，仅有不过需要注意的是，默频的骁龙865和天玑1000+的表现均较差，因此需要结合实际计算能效比。

用GFXbench差距除以功耗差距，即可得出简单的能效比差距对比。在四款处理器中，能效比最高的是默频下的骁龙865，天玑1200则位列第二。

和前段时间大卖的多款骁龙870旗舰相比，搭配天玑1200的realme GT Neo在2000元这个价位竞争力丝毫不输对手。甚至来说，天玑1200的成本优势使得它反倒更为优秀。

天玑1200相比天玑1000+的提升十分明显，在默频下就可以比肩骁龙865+，若解放超频进一步优化，未来的提升空间可不小。

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