在去年凭借一亿主摄为我们奉上一款影像“超纲”之作后,时隔一年的Redmi Note系列又回归初心,将重点放到了功能之上。在今年的新品Redmi Note 10 Pro上,我们不仅惊讶地发现了天玑1100这颗旗舰芯,更是有JBL扬声器、67W闪充、VC 液冷等旗舰配置登场。可以说,今年的小金刚,绝对会让参数党们直呼过瘾。
本次评测,我们就以参数最有看点的Redmi Note 10 Pro为主。接下来,就让我们开始看看Redmi Note 10 Pro这一史上最大升级之作究竟有何表现。
Redmi Note 10 Pro的正面造型没什么变化,中置挖孔算是目前全面屏兼顾美观、实用、自拍效果等各方面的最优解。因为采用了LCD屏幕,下巴也不能窄到极限,但已经做到硬屏最好的水准。
这次的背部造型则格外特别,采用了小米11签名版类似的立体光栅工艺,使得表面拥有独特的3D立体纹理。虽然非玻璃后盖,但是由于新的注塑工艺带来的提升,表面纹理相较于传统后盖更加紧致,透明度也更高,拥有类似玻璃的质感。
不过,新的3D立体造型后盖只会用在月魄、幻青两款配色之上。如果想要更传统的造型,选择稳重黑色为主色调的星沙即可。
后摄特写,设计ID也延续了今年K系列的风格,主摄有独特的银色环绕装饰。Redmi Note 10 Pro的主摄为6400万像素,下方分别是800万像素的广角镜头和200万像素的微距镜头,可以满足日常大多数场景的实用需求。
上下双扬声器均单独开孔,可以保证出色的外放音质。上方能看到除了麦克风外,还有祖传的红外遥控,下方仅有Type-C接口,没有看到3.5mm音频接口略有遗憾。
Redmi Note 10 Pro采用了侧边指纹的指纹识别方案。新一代指纹识别模块可以完美融入电源键中,边框无需做加宽处理。后期指纹电源键还会解锁轻触两下快捷启动的功能。
SIM卡槽在另一侧,支持两张SIM卡插入。
标配的67W充电器,体积小巧,兼容15W充电,最高可输出67W闪充。
Redmi Note 10 Pro这次搭载的天玑1100可谓一颗不折不扣的旗舰芯片。相较于去年的旗舰芯片天玑1000+,制程从台积电7nm升级为台积电6nm,大核架构也从4×A77升级为了4×A78,综合能效比都会有所改善。
虽然没有明显的提升,但是天玑1100的存储支持以及ISP都有所升级,比如支持了最新的UFS 3.1存储,可以拍摄更大像素的照片,算力有所增强,总的来说算是2021年的天玑1000+改良款。
比起上一代所使用的骁龙750G,天玑1100的进步就明显的多了。我们就先从测试来看看Redmi Note 10 Pro的表现。
1、鲁大师
在鲁大师测试中,Redmi Note 10 Pro的分数高达808513分,超过77%的其他手机用户,毫无悬念的已经跻身旗舰队列,跟许多发售的旗舰机贴身互博。
2、Androbench
Redmi Note 10 Pro搭载UFS 3.1闪存,连续读取速度1745.84 MB/s,连续写入速度1216.54 MB/s。由于骁龙的加密算法会限制测试出的连续写入速度,因此天玑和猎户座在同样的闪存下的结果会更大一些,实际使用时的体验并不会有太大区别。
3、Geekbench
利用Geekbench 5跑分,来看看天玑1100 CPU的提升如何。Redmi Note 10 Pro的单核得分762分,多核得分2896分,作为参考,上一代所采用的骁龙750G单核不过658分,多核才1977分,相较之下单核提升16%,多核提高46%,提升可谓巨大。
4、GFXbench
相较于骁龙750G,天玑1100的GPU也领先了一倍以上。过去的Note系列只能说勉强保证游戏流畅运行,但是现在的Redmi Note 10 Pro绝对可以主流游戏高帧无压力。
天玑1100,比上不足比下有余。它可能是今年新推出的旗舰处理器中吊车尾的那一个,但是吊打一众7系中段处理器依然毫无压力。比起上一代所使用的骁龙750G,Redmi Note 10 Pro的进步如腾飞一般,直接50%起步,系统的流畅度更是远超以往,这代的小金刚体验将大不同。