三星电子宣布量产 eUFS 3.1 闪存写入速度提升了200%

来源：鲁大师官方　2020-03-17 16:36:15

今日，三星电子宣布已开始量产 512GB 封装容量的 eUFS 3.1 闪存，可用于手机、平板等移动设备。相较上一代 UFS 3.0闪存产品，新款内存产品的写入速度提升了 200%，写入速度已经做到了1.2GB/s。同比与PC的SATA 3固态硬盘540MB/s的写入速度可谓是一个具体的提升。读取速度更是达到了2.1GB/s。非常好的解决了5G时代下超清视频的存储问题。

容量方面，这一批新的UFS 3.1内存则是分成了128GB、256GB以及512GB三种容量可选。此外三星表示为了应对日益增长的市场需求。三星位于中国先的生产线已经开始生产第五代V-NAND 9x层存储产品，位于韩国平泽市的生产线很快会转向生产第六代V-NAND 1xx层闪存产品。

此前，西部数据、东芝等都介绍了 UFS 3.1 闪存产品，但都是出个样品草草了事，并没有达到量产程度。

如不出意外，下半年九月份的这波厂商发布会新机潮中绝大多数旗舰机都会采用UFS 3.1。目前国内几个厂商的旗舰机都在向着高端市场发展，价格水涨船高。堆料这方面也是越来越狠，自家旗舰机什么材料都舍得上。今年年初的这一波新机潮，旗舰机都是标配UFS 3.0、WiFi 6、骁龙865等，九月份的新机潮会不会出现全线标配UFS 3.1?不妨大胆猜测下，

推荐DIY文章